粤能许可〔2023〕6号

　　国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建设项目采用的主要技术标准和建设方案符合国家相关节能法规及节能政策的要求，原则同意该项目节能报告。 

　　项目主要建设内容包括：建设8英寸第三代半导体（碳化硅、氮化镓）芯片研发、中试平台及快速封测，主要建构筑物包括生产厂房、仓库、动力站、氢气棚、离子注入站、空分站、办公楼、食堂等，主要设备包括清洗机、外延炉、单晶炉、氧化炉、退火炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、空压机、冷水机组、燃气锅炉等。项目设计年产1万片8英寸晶圆。项目能耗量和主要能效指标：项目建成投产后，年综合能耗不高于19747吨标准煤（当量值），其中年电力消耗量不高于11956万千瓦时、天然气消耗量不高于415万立方米；项目单位产品能耗不高于1.975吨标准煤/片。  

　　本审查意见自印发之日起两年内，如项目未开工建设，自动失效。